LAZNEK Samira - Modélisation quantique d’un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base de Si Ge par la méthode des volumes finis

Business Listing - April 01, 2020

LAZNEK Samira - Modélisation quantique d’un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base de Si Ge par la méthode des volumes finis

Mémoires de Fin d’Etudes
Auteur LAZNEK, Samira Directeur de thèse Mimoun Souri Mohamed (Docteur) Filière Physique Diplôme Magister Titre Modélisation quantique d’un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base de Si Ge par la méthode des volumes finis Statut Vérifié
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