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Category: sisto

sisto Apr 01

Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation Département d’Electronique Auteur TOUHAMI, Lakhdar Directeur de

Mémoires de Fin d’Etudes Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation

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sisto Apr 01

Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation Département d’Electronique Auteur BENHAMIDA, Yahia Directeur de

Mémoires de Fin d’Etudes Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation

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sisto Sep 21

Resiston nouvelle formule, comprimés effervescents

Zulassungs- nummer  / N° d'autorisation : 48134 Dosisstärke-nummer  / N° de dosage : 03 Bezeic

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sisto Dec 28

Cressall Resistors Ltd Cressall Resistors Ltd

Producer name : Cressall Resistors Ltd Cressall Resistors Ltd Producer obligation type : B2B Produ

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sisto Oct 16

TRANSISTORS! - LUNDSTROM MARK

AUTHOR AFFILIATION : PURDUE UNIV, USA PUB DATE : 19-Dec-22 ONLINE RELEASE DATE : 16-Jan-23

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sisto Oct 16

COMPACT HIERARCHICAL BIPOLAR TRANSISTOR MODELING WITH HICUM - SCHROTER MICHAEL ET AL

AUTHOR AFFILIATION : UNIV OF TECHNOLOGY DRESDEN, GERMANY & UNIV OF CALIFORNIA SAN DIEGO, CA, USA

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sisto Oct 16

TRANSISTORS: FROM CRYSTALS TO INTEGRATED CIRCUITS - LEVINSHTEIN M ET AL

AUTHOR AFFILIATION : IOFFEE INST OF RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES, RUSSIA PUB DATE : 23-Nov-98 O

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sisto Oct 16

CURRENT TRENDS IN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS - CHANG M F

AUTHOR AFFILIATION : ROCKWELL INTERNATIONAL CORPORATION, USA PUB DATE : 29-Jan-96 ONLINE RELEA

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sisto Jan 19

Arab Company for Transistor Radio and Electronic Equipment

Arab Company for Transistor Radio and Electronic Equipment Primary Sector : Consumer Goods Pri

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sisto Apr 01

Etablissement Université de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid Affiliation Département de Physique Auteur BERRICHI, Yamina Directeur de thèse GHAFFOUR

Mémoires de Fin d’Etudes Etablissement Université de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid Affiliation Départ

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sisto Apr 01

Modélisation quantique d’un transistor à effet de champ hétéro-tranction à base de Si Ge par la méthode des volumes finis

Mémoires de Fin d’Etudes Filière Physique Diplôme Magister Titre Modélisation quantique d’un transi

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sisto Apr 01

Modélisation des transistors à effet de champs à points quantiques par la méthode des volumes finis

Mémoires de Fin d’Etudes Filière Physique Diplôme Magister Titre Modélisation des transistors à eff

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