Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université Mohamed Boudiaf des Sciences et de la Technologie - Mohamed Boudiaf d’Oran
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
HATMAF, Isma
Directeur de thèse
(Docteur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Simulation et modellisations des mosffet siliciun sur isolant
Résumé
Notre travaille se situe dans le domaine de la nanoéléctronique ou les dispositifs sont suxeptibles d’avoir pour certain parametres des fonctionnements de nature quantione différent du fonctionnement classique ce mémoire à pour but d’analyse l’effet de l’augmontation de la densité d’integration suite à la dimunition de la taille des transistors sur les performances de ses dispositifs éléctrioniques d’ou on a etudier un type particulies de transistor qui est Mosfet SOI
Statut
Vérifié
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