Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université d’Oran1 - Ahmed Ben Bella
Affiliation
Département de Physique
Auteur
ALLOUCHE, Habib
Directeur de thèse
BOUKREDIMI Djamel (Maitre de conférence)
Filière
Physique des Matériaux Métallique
Diplôme
Doctorat
Titre
Modélisation et simulation d’homojonctions semiconductrices
Mots clés
caractéristique capacité tensioncapacité de jonction; faible et forte injection;porteurs libres;méthode des éléments finis.
Résumé
on s’intéresse dans ce travail à modeliser la caractéristique capacité-tension d’homojonction à dopages uniformes et linéaires en polarisation inverse et directe. Pour des jonctions réelles à savoir les dopages en gaussien et en fonction erreur complémentaire, on utilise la méthode des éléments finis.
Statut
Validé