Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université d’Oran1 - Ahmed Ben Bella
Affiliation
Département de Physique
Auteur
BAGHDAD, Rachid
Directeur de thèse
CHAHED Larbi
Co-directeur
ZELLAMA K.
Filière
Pétrochimie
Diplôme
Doctorat
Titre
Optimisation des propriétés structurelles et optoélectronique du silicium nanocristallin déposé par pulvérisation cathodique radiofréquenceassistée d’un magnétron en vue de son utilisation pour la conversion photovoltaique de l’energie solaire
Mots clés
RFMS; Silicium nanocristallin; METHR.
Résumé
L’Etude détaillée des films de silicium nanocristallin hydrogène (nc-Si :H) déposé par pulvérisation cathodique radiofréquence assistée d’un magnétron (RFMS), a différentes pressions de gaz (2, 3 et 4 Pa) pour des pressions partielles d’argon et d’hydrogène fixes (30% d’argon et 70% d’hydrogène), une puissance radiofréquence de 200 W (densité de puissance radiofréquence est de 0.9 W.cm-2) et a différentes températures du substrat (Température ambiante,100, 150 et 200°C), montre l’effet de ces deux paramètres sur les propriétés structurelles et électriques sur ces couches minces de nc-Si : H. En effet en combinant les différentes techniques de caractérisation que ce soit pour l’étude structurelle (Spectroscopie IR, Spectroscopie Raman, METC et METHR ) ou l’étude optoélectronique (Mesures de transmission optique UV-Vis et PDS) et la mesure de la conductivité électrique, nous avons aboutis aux résultats montrant que par cette technique de dépôt, nous pouvons obtenir du silicium nanocristallin (nc-Si :H) a température ambiante et aux pressions 3 et 4 Pa.
Date de soutenance
15/12/2007
Cote
TH2544
Pagination
166P.
Format
30 cm
Notes
BIBLIOG.ANNEXES 151-163F.RESUME ET MOTS CLES EN FRANCAIS ET EN ANGLAIS.
Statut
Soutenue