Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université d’Oran1 - Ahmed Ben Bella
Affiliation
Département de Physique
Auteur
AYAT, Maha
Directeur de thèse
ZITOUNI K. (Professeur)
Filière
Microélectronique
Diplôme
Magister
Titre
Etude de nanostructures lasers à base de matériaux quinaires de InGaAlAsSbGaSb : Applications en Environnement - Métrologie
Mots clés
Semi-conducteurs; Quinaires; InGaAlAsSb/GaSb; Nanostructures; Laser a Multi-Puits Quantiques Type I; Gain optique; Densite de courant de seuil; Teledetection atmospherique; Metrologie optique des gaz; LIDAR; TDLAS.
Résumé
Dans ce travail, nous étudions les lasers à base de puits quantiques de matériaux semi-conducteurs III-V antimoniures : InGaAsSb/InGaAlAsSb/GaSb. L’objectif est de concevoir un Laser émettant dans l’Infrarouge Moyen : Lamda = [2-4Mue m].Ce Laser est conçu a base de puits quantiques de Type I de matériaux antimoniures quinaires InGaAsSb/InGaAlAsSb/GaSb, en vue des applications dans les domaines de la télédétection atmosphérique et la métrologie optique des gaz. Ce laser présente certains avantages par rapport a ceux bases sur le système antimoniures Quaternaires InGaAsSb/InGaAlSb/GaSb. Parmi lesquels : il permet un accroissement du band-offset de valence Delta Ev et par conséquent, d’aller au-delà des 3 Mue m (Lamda>3 Mue m) tout en fonctionnant a température ambiante (T=300°K).
Date de soutenance
2009
Cote
TH2839
Pagination
89F.
Illusatration
ILL. EN COUL
Format
30 cm
Notes
BIBLIOG.RESUME ET MOTS CLES.
Statut
Soutenue