Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université d’Oran1 - Ahmed Ben Bella
Affiliation
Département de Physique
Auteur
FOUDDAD, Fatima Zohra
Directeur de thèse
MOULAYAT Nasreddine (Professeur)
Filière
Science des matériaux
Diplôme
Magister
Titre
Formation Electrochimique d’un Dépôt de cuivre sur InP(n) et InP(p) & Caractérisation de la jonction InPCu par voie Electrochimique
Mots clés
Dépôt; Electrochimie; Semi-conducteur III-V; Phosphure d’Indium électrodéposition; Cuivre; Photoluminescence; Photo-assisté.
Résumé
L’Aspect fondamental de l’étude de la formation de la jonction semi-conducteur/électrolyte a fait l’objet de nombreuses études. Les raisons de l’intérêt de l’étude de ces jonctions étaient d’abord liées à la conversion de l’énergie solaire par voie photo-électronique (piles photo-électrochimiques) et s’étendent maintenant à d’autres domaines comme l’électronique et l’optoélectronique. A l’échelle industrielle, les dépôts métalliques sont actuellement surtout réalisés en phase vapeur (CVD), mais les dépôts par voie électrochimique vont certainement connaître des développements intéressants, surtout avec les semi-conducteurs dont la tenue sous vide ou à température élevée est médiocre car le dépôt électrochimique offre par rapport aux procédés sous vide, un plus large choix de paramètres qui devrait permettre une meilleur maîtrise des caractéristiques du dépôt. L’interface semi-conducteur/métal a fait l’objet de nombreuses études, mais peu de renseignements sont disponibles sur l’évolution du film métallique en cours de formation ; un des avantages majeurs de notre étude est justement le suivi étape par étape du dépôt de cuivre en cours de formation.
Date de soutenance
2011
Cote
TH3570
Pagination
156F.
Illusatration
ILL. EN COUL
Format
30 cm
Notes
RESUME ET MOTS CLES. ANNEXE 136-149F.BIBLIOG.150-156F.
Statut
Soutenue