Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid
Affiliation
Département Génie électrique et electronique
Auteur
KERAI, Salim
Directeur de thèse
GHAFFOUR Kheireddine (Docteur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Caractérisation des semi conducteurs par les techniques capacitives
Mots clés
jonction pn schottky, ev dlts, recuit thermique
Résumé
Les techniques capacitives ( EV et DLTS ) ont été étudiées. Nous avons mis au point un ensemble de procédures permettant le calcul du profil de dopage. A ce titre nous avons proposé une méthode de calcul qui consiste à ajuster la caractéristique EV expérimentale avec un modèle thermique prédéfini. Q’autre part l’application de la technique DLTS bis car sur un échantillon de silicium recuit aux lampes halogènes a été effectuée pour la détection des défauts.
Statut
Soutenue
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