Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Tlemcen - Abou Bekr Belkaid
Affiliation
Département de Physique
Auteur
BECHLAGHEM, Fatima Zohra
Directeur de thèse
BOUAZZA Benyounes (Maitre de conférence)
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Doctorat
Titre
Etude, Simulation et modélisation des transistors pseudo- morphique pHEMTs à base d’InxGa1-xAs.
Mots clés
pHEMTs, MESFET , Simulation Monte Carlo, transport Electronique
Résumé
Les besoins amplification de puissance à des fréquences élevées sont de plus en plus importants. Dans le domaine civil, le marché des télécommunications sans fil a littéralement explosé ces dernières années, et la réduction des couts de mise en place et de la maintenance passe par la réalisation d’amplificateurs de plus puissants afin de réduire le nombre de relais hertziens. Les principales technologies à état solide utilisées sont celles des PHEMTs AlAsGa /lnAsGa /AsGa, des MESFETs AlAsGa/AsGa ces nouveaux composants sont en passe de redéfinir de nouvelles limites à ces performances. Cependant, à l’heure actuelle, le développement de ces transistors est focalisé sur la recherche d’une meilleure fiabilité et sur la diminution des effets de pièges. Nous utiliserons dans cette étude les techniques de simulation basées sur la méthode de Monte Carlo pour définir le phénomène de transport électronique dans le matériau et dans le dispositif. Une étude antérieure a été déjà réalisée sur le MESFET à base de GaAS , le doctorant continuera ce travail et l’appliquera au transistor pseudo- morphique pHEMTS
Statut
Validé