Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Tizi Ouzou - Mouloud Mammeri
Affiliation
Département Electronique
Auteur
BOUGHIAS, Ouiza
Directeur de thèse
Ben Fdila Areski (Docteur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Comparaison des paramétres physiques technologiques et électriques des nouveaux isolants de grille" high-k" pour les technologies CMOS
Mots clés
Transistors CMOS;Oxyds;High-k;Paramètres;Fialilité;Interfaces;Pièges d’oxydes.
Résumé
Une comparaison entre les maténiame à forte permittivité diélectrique"high-k" à été faite la stratégie d’intruduction de high-k n’est pas encore définie trés clairement ,notament parceque le bénéfice d’un high-k va de pane avec l’utilisation d’une grille métallique.En vue des amilioration que les oxydes et les silicats d’hafnuim apparent pour le transistor MOS et ces oxydes d’hafinuim seront lancés dans la fabrication à partir de la fin du 2éme trimestre de l’année 2008.
Statut
Vérifié
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