Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Tébessa - Larbi Tébessi
Affiliation
Département Science de la matière
Auteur
ABDI, Naima
Directeur de thèse
Bensalem Rachid (Professeur)
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Magister
Titre
Modélisation des propriétés électriques du CaAs dopé par implantation ionique
Mots clés
GaAs ; Implantation ionique ; Propriété électrique ; Modélisation; Dopage
Résumé
L’analyse détaillée des mécanismes de l’activation de divers ions introduits dans le GaAs par la méthode de l’implantation ionique à permis de développer un modèle thermodynamique qui pré dictera avec une grande exactitude les propriétés électriques après un recuit thermique rapide (rapid thermal Annealing , RTA). Le modèle décrit l’incorporation d’impuretés dans le GaAs et la cinétique de l’activation électrique qui se déroule pendant le recuit thermique. Ce processus à deux énergies d’activation ; la première est l’énergie de diffusion de l’impureté, alors que la seconde, qui est une énergie à saturation, est identifiée à l’énergie nécessaire pour dissocier l’impureté d’un complexe. L’étude se basera sur le comportement de certains dopants du GaAs nécessaire à la fabrication de circuits intégrés, qui doit suivre un modèle thermodynamique simple pour les dopants n type, alors que, pour les dopants p type ; leur mécanisme d’activation se produit sous une forme d’interstitiel pouvant accélérer leur diffusion dans le GaAs.
Statut
Signalé