Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Tébessa - Larbi Tébessi
Affiliation
Département des Sciences Exacte et Technologie
Auteur
ثابت, شهلة
Directeur de thèse
قرفي نور الدين (Maitre de conférence)
Filière
Microélectronique
Diplôme
Magister
Titre
Caractérisation électrique de couches minces de SiCN
Mots clés
I(V)et C(v), mesure électrique, SiCN
Résumé
SiC est un semiconducteur à large gap, c’est un matériau promotteur pour les composants électroniques (haute température) les échantillons de SiCN sont préparés à différents taux d’exposition à l’azote. la travail demandé consiste en : 1. recherche bibliographique. 2. mesures électriques I(V) et C(V).
Statut
Vérifié
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