Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Tébessa - Larbi Tébessi
Affiliation
Département des Sciences Exacte et Technologie
Auteur
هريسي, نعيمة
Directeur de thèse
بن خذير محمد لطفي (Maitre de conférence)
Filière
Physique des Matériaux
Diplôme
Magister
Titre
Étude des propriétés électriques des structures métal/semi-conducteurs à à base de GaAs.
Mots clés
Arséniure de Calcium, diode Shottky, Propriétés électriques.
Résumé
Dans ce travail, on propose d’utiliser les modèles de phénomènes de transport de courants dans de(..) ces composants tels que l’émission thermoïonique, courant de recombinaison, courant tunnel, courant des état d’interface et surtout l(inhomogénéité de la barrière de potentiel qui peut être un des facteurs qui influence fortement la caractéristique I-V en polarisation directe et inverse dans les diodes à base de GaAs.
Statut
Vérifié