Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
MORDI, Nasseredine
Directeur de thèse
Chellali Mohammed (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Caractérisation et modélisation des phénomènes de transports dans les transistors HEMTS à base de composés III-V nitrurés
Mots clés
Transistors HEMTS, composés III-V nitrurés, nitrure, GaN, MESFET, hétéro structure.
Résumé
L’apparition de matériau à large bande interdite constitué une avancée sérieuse pour l’électronique HF de puissance et en particulier la technologie à base de nitrure. Les premiers transistors HEMT (High Electron Mobility Transistor) sont apparus en 1980. Le HEMT est généralement réservé à un composant à hétéro structure où le transistor s’effectue dans un matériau dopé. Il apparait comme une évolution du MESFET, pour contourner le problème de transport dans un matériau dopé, il est arrivé le HEMT dans le quel le transport électronique s’effectue au voisinage d’une interface entre un matériau à grande bande interdite fortement dopé et un matériau faiblement dopé. Les transistors à effet de champ de type HEMT à base de nitrure de gallium présentent de nombreux avantages (tension de claquage élevée, fonctionnant dans le domaine des hyperfréquences, excellente conductivité thermique…) en tant que dispositifs électroniques destinés à fonctionner à haute température et à haute puissance. Des travaux antérieures montrent de très bonnes performances vis-à-vis les propriétés thermiques et rapportent d’excellentes performances en termes de fréquences d’utilisation et en termes de puissance. [1] Nous nous proposons d’étudier les différents phénomènes de transports dans les transistors HEMT élaborés à base de composés III-V nitrurés. Nous rappelons les lois qui régissent les phénomènes de transports et les expressions permettant de déterminer les paramètres électriques qui qualifient ces transistors. Nous développons les principes des différentes méthodes de caractérisation que nous utilisons.
Statut
Validé