Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation Département d’Electronique Auteur BOUZIANE, Nasredine Directeur

Business Listing - April 01, 2020

Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation Département d’Electronique Auteur BOUZIANE, Nasredine Directeur

Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation Département d’Electronique Auteur BOUZIANE, Nasredine Directeur de thèse TIZI Schahrazed (Maitre de conférence) Filière Electronique Diplôme Magister Titre Optimisation des paramètres géométriques des transistors MISFET à canal n réalisés à base d’InP Mots clés Transistor MISFET, InP , conductance, transconductance. Résumé Les télécommunications et l’informatique exigent aujourd’hui des composants logiques ultra rapides , des composants optoélectroniques et des composants de puissance pour les micro ondes qui nécessitent l’utilisation de nouveaux matériaux parmi lesquels les alliages de type III-V tel que le phosphure d’indium. Les principaux avantages de l’InP sont entre autres la possibilité de réaliser des transistors à effet de champ à grille isolée de type MISFET avec des transconductances élevées, grâce à une répartition favorable des états d’interface dans la bande interdite , la mobilité élevée des électrons et une bande interdite à transition directe. Ces propriétés physiques permettent d’entrevoir des débouchées dans les domaines de l’optoélectronique intégrée , des circuits logiques ultra rapides et des composants de puissance pour les hyperfréquences. La réalisation des circuits intégrés sur InP aptes à concurrencer le silicium et l’arsèniure de gallium nécessite encore de surmonter quelques difficultés tel que la mise au point d’une filière auto-alignée permettant de réduire les dimensions des composants et diminuer les capacités nuisibles en hautes fréquences. Le travail que nous allons présenter dans cette contribution a pour but de faire une analyse théorique des phénomènes parasites qui influencent le comportement électrique des transistors MISFET à canal n à base d’InP . Un e simulation analytique des caractéristiques électriques tels que le courant électrique, la transconductance , et la conductance en fonction des différents paramètres géométriques du transistor permettra ainsi de mieux comprendre son fonctionnement. Notes ok Statut Vérifié

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