Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
ABBES, Torkia
Directeur de thèse
DJELLOULI Bouazza (Maitre de conférence)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Etude par simulation numérique de nanodispositifs MOS à diélectrique de grille high-k
Mots clés
Mosfet, High-k, Hafnia, zirconia
Résumé
La miniaturisation des transistors CMOS permet d’améliorer leurs performances, la densité d’intégration et le coût des circuits électroniques. Cette miniaturisation de plus en plus poussée fait apparaître des effets parasites associés à la réduction de la longueur de grille et de l’épaisseur d’oxyde qui perturbent fortement le fonctionnement de ces transistors. Pour relever ce défi il est envisagé d’introduire de nouveaux matériaux tels que les diélectriques à haute permittivité comme isolant de grille pour améliorer le compromis entre l’épaisseur d’oxyde et le courant de fuite de grille. Dans le cadre de ce sujet on propose d’utiliser deux diélectriques à haute permittivité qui sont le HfO2 et le ZrO2 comme isolant de grille. Nous étudierons les propriétés de transport des transistors mosfet utilisant ces deux diélectriques par une simulation basée sur le modèle macroscopique de dérive-diffusion ainsi que sur le modèle quantique de l’effet tunnel. Nous comparerons les caractéristiques des mosfet basés sur les grilles high-k avec celles basés sur le sio2 et nous étudierons l’effet du courant tunnel sur leurs performances.
Notes
ok
Statut
Vérifié