Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
BENCHEHIMA, Miloud
Directeur de thèse
ABID Hamza (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Etude des puits quantiques à base des nitrures du groupe III-N Application aux lasers*
Mots clés
Alliages semiconducteurs, binaires, ternaire, méthodes empiriques, EPM, VCA, optimisation, graphique, substrat, lasers.
Résumé
Les matériaux III- V à base de nitrures ( GaN, AlN, InN) sont des semiconducteurs à large bande interdite particulièrement attrayants pour la physique et les applications optoélectroniques dans le visible et le proche UV ( de 0.6 à 0.2µm). Ces matériaux et leurs alliages sont largement étudiés. L’objectif principal du mémoire consistera à étudier les propriétés électroniques et optiques des matériaux GaN, AlN et leurs alliages Ga 1-x Al x N dans la structure zincblende et ceci dans le but d’étudier et d’optimiser une diode laser à base de ces matériaux. La méthode de calcul des structures de bandes électroniques est celle du pseudopotentiel empirique avec le couplage de l’approximation du cristal virtuel. Le calcul des propriétés optiques ( indice de réfraction…) se fait par plusieurs modèles. Les calculs traitent les points suivants : 1- Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques : • paramètre du réseau • module de compressibilité • la dérivée première du module de compressibilité • structure de bandes • densité d’états • densité de charge des composés binaires à base de nitrure et leurs alliages ternaires (AlN,GaN et AlGaN). 2- Etude de l’optimisation - paramètres intrinsèques de la structure proposé (épaisseur du puits quantiques…) - paramètres extrinsèques (température …) 3- Application de la méthode d’optimisation (méthode graphique) 4- Comparaison avec d’autres méthodes 5- Exploitation des résultats trouvés afin de concevoir un dispositif optoélectroniques basés sur ces matériaux. 6- Conclusion
Notes
ok
Statut
Vérifié