Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
BELROUL, Rafika
Directeur de thèse
BENAMARA Zineb (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Caractérisation électrique et modélisation des phénomènes de transport dans les nano-composants à base de matériaux III-V
Mots clés
GaN, InN, GaAs,InP,caractérisation électrique
Résumé
Durant cette dernière décennie, les composées III-V tels que l’arséniure de gallium (GaAs) ou le phosphure d’indium (InP) ont connues un développent spectaculaire . Les nitrures d’élément III tels que GaN, InN et AlN sont entrain de connaitre un essor considérable .l’intérêt croissant pour ces matériaux est dû aux applications potentielles de cette famille de semiconducteurs à large bande interdite .En effet, ces composés présentent des performances bien supérieures à celles des semiconducteurs plus classiques comme le silicium. Ce sont des matériaux de choix pour toutes les applications nanotchnologiques .Or les caractéristiques de ces matériaux et des composants sont sensibles à l’état de surface et de l’interface .l’étude de fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une maitrise préalable des phénomènes physiques régissant les propriétés des électrons dans le semiconducteur. Il est donc devenu essentiel de comprendre les mécanismes de formation des nanostructures pour maîtriser au mieux la technologie des composants réalisés, à l’heure ou les nanotechnologies ouvrent de nouvelles voies. En effet, dans le domaine de l’électronique, ces matériaux présentent un caractère réfractaire qui permet d’envisager des applications dans des conditions hostiles, à haute température, haute puissance ou à haute fréquence. Pour le développement de ces nitrures d’éléments III, les substrats semi-conducteurs III-V tels que l’InP et le GaAs constituent des substrats potentiels pour la croissance de l’InN et du GaN. Ce pendant, les caractéristiques des hétérostructures ainsi obtenues sont étroitement liées à l’état de surface et d’interface. Après avoir contrôlé les premiers stades de croissance de l’InN sur l’InP et du GaN sur GaAs et analyser les surfaces nettoyées et nitrurées par des méthodes spectroscopiques, nous nous proposons d’effectuer des mesures électriques de types courant-tension et de capacité-tension en fonction de la fréquence et de la température, ceci dans l’objectif d’obtenir de plus amples informations sur les couches nitrurées et enfin d’optimiser le processus de nitruration et la réalisation de nanocomposants électroniques. Une modélisation à l’échelle nanométrique des phénomènes de transports dans ce type de composants viendra compléter ce travail.
Notes
ok
Statut
Vérifié