Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
ABIDI, Mohamed
Directeur de thèse
BERRAH Smail (Maitre de conférence)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Elaboration d’un modèle prédicteur pour le transistor à effet de champ à grille isolé (high-k)
Mots clés
MOSFET, permittivité diélectrique, Hihg-K, réseaux de neurones artificiels.
Résumé
Le transistor (MOSFET) constitue l’élément de base en nanotechnologie, en effet son intégration à l’échelle nanométrique a permet considérablement la réduction de la taille des circuits intégrés en général. l’inconvénient majeur d’une telle technologie réside dans l’épaisseur de l’oxyde SiO2 qui reste fragile aux tensions de grille élevées, en deuxième lieu, c’est la présence d’une densité de défauts importante à l’interface et qui influe considérablement sur les caractéristiques et les propriétés du composant. Un autre paramètre important de cet oxyde est sa constante diélectrique (qui est le rapport de sa permittivité à la permittivité du vide et qui correspond à sa capacité d’isolation). Actuellement, les oxydes de types SiO2 ou d’autres oxydes déjà utilisés ont des constantes diélectriques de l’ordre de 4 Dans notre cas, on va s’intéresser aux nouveaux diélectriques à constante élevée, appelés high-k dielectrics, qui contiennent la plupart du temps de l’Aluminium, du Titane, du Hafnium ou du Zirconium, Ces isolants permettent de réduire significativement les courants de fuite et de progresser dans la miniaturisation. L’objectif du présent thème, consiste à la modélisation du transistor high-k, dont on va s’intéresser à trouver un modèle prédicteur en utilisant les réseaux de neurones artificiels ainsi l’extraction des différents paramètres tels que le dopage du substrat, la mobilité, la longueur du canal…..
Notes
ok
Statut
Vérifié