Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
CHARIK, Haouari
Directeur de thèse
SOUDINI Belabbès (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Optimisation des paramètres physiques d’une structure à puits Quantiques à base des nitrures III-V: Application à la diode LED émettant dans l’ultra-violet
Mots clés
Diodes LED, nitrures III-V:,puits quantiques, logiciel APSYS
Résumé
L’émission de lumière par un semi-conducteur s’obtient usuellement par la recombinaison de paires électron-trou dans une zone où ils sont en excès vis-à-vis de l’équilibre thermodynamique. Ce phénomène de la luminescence est exploité dans les composants à base des semiconducteurs selon deux processus : l’émission spontanée et l’émission stimulée. L’émission spontanée est exploitée dans les diodes électrolumenescentes LED. Les diodes LED ont deux utilisations principales : l’affichage-visualisation et la communication optique à moyen débit. C’est un composant très économique car facile à réaliser de façon massive. Actuellement, plusieurs chercheurs s’intéressent aux diodes LED dans le but d’améliorer leurs performances par rapport aux autres émetteurs optiques (diodes LASER). Cette motivation provient des avantages offerts par les nouveaux matériaux obtenus par les techniques de croissance actuelles. Les matériaux en question sont ceux à base des nitrures. En effet, GaN et ses alliages présentent un intérêt considérable à cause des nombreux avantages qu’ils présentent : grand gap, bande interdite directe, propriétés électroniques et mécaniques intéressantes. L’ensemble de ces propriétés les rendent non seulement attractif pour les émetteurs dans le bleu et l’optoélectronique en général, mais aussi pour l’électronique en milieux hostiles (haute température, haute puissance…). Dans le cadre de ce travail, nous cherchons à considérer des hétérostructures à base des nitrures III-V en vue d’optimiser les paramètres physiques (bande interdite , épaisseur des puits, concentration , rendement optique, le taux de recombinaison ). Ces paramètres sont en relation avec l’utilisation de ces structures dans un composant optoélectronique tel que la diode LED dont le spectre d’émission est celui du violet et l’ultraviolet. Les résultats obtenus par cette optimisation vont permettre à proposer une structure typique de cette diode.
Notes
ok
Statut
Vérifié