Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
RABEHI, Abdelaziz
Directeur de thèse
AMRANI Mohammed (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Simulation numérique à 2D de la tension de claquage dans les diodes PIN et les transistors bipolaires
Mots clés
Simulation 2D, claquage par avalanche, PIN, transistors, I-V
Résumé
Le phénomène d’avalanche ou encore le phénomène d’ionisation par impact est un mécanisme important pour la fabrication de certains composants tels que : 1. Les dipôles à résistances négative utilisés dans le domaine des hautes fréquences. 2. Les transistors bipolaires et les transistors MOSFET afin d’agir sur le gain en courant collecteur ou encore drain. 3. Les photos détectrices à avalanche servant pour la détection des signaux optiques. Dans ce sujet, nous nous intéressons au calcul des tensions de claquage par effet d’avalanche dans les diodes PIN et les transistors bipolaires. Dans des travaux antérieurs, cette tension a été calculée par un modèle 2D utilisant l’intégrale d’ionisation par impact et a permis d’étudier l’effet des paramètres technologiques et physique sur ce phénomène et par la suite d’estimer les tensions de claquage. Cependant, ce modèle reste valable dans le cas des jonctions PN où le courant de fuite s’est avéré négligeable. C’est le cas d’un régime électrostatique où seule l’équation de Poisson gouverne le fonctionnement du dispositif. De ce fait, et afin de mieux tenir compte de ce courant, nous proposons dans ce mémoire un programme de simulation basé sur le calcul numérique 2D de la caractéristique courant –tension du composants. L’étude des différentes techniques de résolution 2D du système d’équation formé par l’équation de Poisson et les deux équations de continuité sera présentée.
Notes
ok
Statut
Vérifié