Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
CHAIB, Chaib
Directeur de thèse
AMRANI Mohammed (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Simulation 2D de la caractéristique courant-tension dans les dispositifs à semi-conducteur par la méthode des éléments finis
Mots clés
Simulation 2D, Méthode des éléments finis, jonction PN
Résumé
La méthode des éléments finis est souvent la plus utilisée aujourd’hui pour résoudre numériquement des équations aux dérivées partielles. Dans ce mémoire, nous nous sommes intéressés à développer un programme de simulation 2D des caractéristiques courant-tension (I-V) des dispositifs électroniques à base de semi-conducteurs. Le formalisme mathématique de ce modèle est basé sur la résolution bidimensionnelle du système d’équations partielles formé par l’équation de Poisson et les deux équations de continuité. Ces équations décrivent le comportement électrique de semi-conducteurs. Dans ce calcul, nous utilisons la méthode séquentielle de Gummel qui découple l’équation de Poisson des deux .équations de continuité. Afin de valider les résultats de ce programme, nous les comparons avec des caractéristiques (I-V) expérimentales effectuées sur diodes à jonctions PN.
Notes
ok
Statut
Vérifié