Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
CHETTOUH, Salah
Directeur de thèse
AKKAL Boudali (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Evolution des propriétés électroniques de surface des semiconducteurs III.V par la méthode de la photoluminescence
Mots clés
Photoluminescence, Semi-conducteurs II-V, Propriétés électroniques, propriétés de surface
Résumé
Les surfaces et les interfaces des matériaux basés sur les composés II-V jouent un rôle important dans la technologie et le fonctionnement en haute fréquence des composants optoélectroniques. Les états électroniques de surface sont responsables de plusieurs effets non désirables tels que le « pinning » du niveau de Fermi et la recombinaison de surface de porteurs excédentaires qui réduisent fortement l’efficacité de photoluminescence (PL) d’une structure semi-conductrice. Ce pendant, les mécanismes de recombinaison non radiative via les états de surface ainsi que la photoluminescence bande à bande ne sont pas bien étudiés. De plus, une évaluation des propriétés de surface, à partir des mesures PL, est souvent basée sur un modèle standard et simple qui suppose une vitesse de recombinaison de surface constante et la présence d’une surface appelée « bande plate » qui résulte aussi dans une efficacité PL constante. Le but de ce travail est d’effectuer une analyse quantitative de l’efficacité PL (YPL) dans un large intervalle de la densité de flux de photon φ allant de 1018 à 1025 cm-2s-1 pour les surfaces à base des semi-conducteurs II-V de type n. La valeur de YPL est définit comme étant le rapport de l’intensité PL et de la densité du flux de photon incident (φ). L’objectif est d’étudier l’influence de la densité d’états de surface (Nss) et des sections de surface pour la capture des électrons (σn) et de trous (σp) sur les variations de YPL en fonction de φ. Pour le calcul théorique des différents paramètres telles que l’efficacité PL (YPL), la vitesse de recombinaison effective de surface (Seff) et les quasi-niveaux de Fermi des électrons (Efn) et des trous (Efp) sous photo-éxitation nous allons développer un model de calcul en tenant compte de tous les mécanismes de recombinaison possibles qui comprennent la recombinaison radiative, la recombinaison Shockley Read- Hall (SRH) via des niveaux profonds et la recombinaison Auger en plus du processus de recombinaison de surface basé sur les statistiques SRH.
Notes
ok
Statut
Vérifié