Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
HAMOUCHE, Redouane
Directeur de thèse
ZEBENTOUT Baya (Maitre de conférence)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Simulation de transistor MOS en silicium polycristallin considéré comme matériau hétérogène
Mots clés
matériau hétérojonction, défauts intergranulaires, simulation numérique 2D, transistor MOS
Résumé
La simulation numérique est devenue une activité incontournable pour la mise au point des technologies, pour l’étude de nouveaux matériaux et de nouvelles architectures de dispositifs, et plus généralement pour aider à la compréhension des mécanismes physiques et électriques mis en jeu en micro- et nano-électronique. Les techniques de production de couches minces de silicium à des températures basses (
Notes
ok
Statut
Vérifié