Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
MOSTEFAOUI, Mohamed
Directeur de thèse
MANSOUR-MAZARI Halima (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Modélisation d’une cellule solaire à base de composés III-V nitrurés
Mots clés
InGaN- Modélisation- cellule solaire-Optimisation-rendement-Pc1d
Résumé
L’intérêt des nitrures des semiconducteurs III-V (InN, GaN), comme le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages, par exemple, réside dans leurs nombreuses applications dans le domaine de l’électronique et l’optoélectronique : les diodes, les capteurs et les cellules solaires. Les alliages du GaN présentent un gap direct ajustable d’où leur utilisation dans le domaine photovoltaïque. Parmi ces alliages nitrurés, on s’intéresse à l’InGaN. Ce matériau dispose d’un grand potentiel. Une simple jonction optimisée peut atteindre un rendement de conversion comparable à celui obtenu par les meilleures cellules de filière CIGS. Ainsi notre travail consiste en la modélisation d’une cellule solaire à base d’InGaN. Le but est d’optimiser les paramètres physiques (dopage, épaisseur, surface,….) afin d’aboutir au meilleur rendement de conversion photovoltaïque possible. Le logiciel Pc1D est un outil très pratique et il est recommandé pour cette étude
Notes
ok
Statut
Vérifié
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