Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
KHELIFI, Reski
Directeur de thèse
MANSOUR-MAZARI Halima (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Etude des hétérostructures à base de composés III-V nitrurés GaN/GaAs
Mots clés
GaN/GaAs-modélisation-I(V)-C(V)
Résumé
Les composés III-V nitrurés, tel que le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages, par exemple, sont beaucoup étudiés en raison de leur important potentiel dans les dispositifs électroniques et optoélectroniques comme les diodes, les capteurs et les cellules solaires. S’intéressant au nitrure de gallium déposé sur un substrat d’arséniure de gallium, l’optimisation et l’analyse d’une telle structure passe impérativement par une modélisation. Notre travail consiste à étudier le comportement électrique de ces dispositifs (GaN/GaAs) moyennant une modélisation adaptée. La comparaison des résultats simulés avec les résultats expérimentaux nous permettra d’améliorer la technologie en vue d’un meilleur fonctionnement du dispositif.
Notes
ok
Statut
Vérifié
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