Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
KHELIFI, Reski
Directeur de thèse
Mansour-Mazari Halima (Professeur)
Co-directeur
Mansouri Seddik (Maitre de conférence)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Etude du comportement électrique des structures à bases de composé de l’élément III-nitruré : Au/GaN
Mots clés
GaN-modélisation-I(V)-C(V)-DLTS
Résumé
Aujourd’hui, les semiconducteurs à large bande interdite tels que les nitrures d’éléments III (GaN, InN et AlN) sont les candidats idéaux pour réaliser un nouveau saut technologique. Leurs propriétés physiques en font des matériaux sans concurrents pour un grand nombre d’applications dans des environnements hostiles (hautes températures, hautes puissances et hautes fréquences). Parmi ces semiconducteurs, on peut citer le nitrure de gallium (GaN) qui est beaucoup étudié en raison de son important potentiel dans les dispositifs électroniques comme les diodes, les transistors, les capteurs et les cellules solaires. Il est donc important de comprendre le fonctionnement des dispositifs à base de ce matériau moyennant une étude de ses propriétés électriques. Le travail de cette thèse se rapporte sur la modélisation des caractéristiques I(V) et C(V) des structures Au/GaN. Après un dépôt contact Schottky (Au) sur la face avant du nitrure de gallium et un contact ohmique sur la face arrière, des caractérisations électriques telles que C(V) et I(V) seront effectuées à différentes températures. Les résultats expérimentaux seront comparés aux résultats obtenus par modélisation. Des mesures de capacités et de conductances en fonction de la fréquence et des caractérisations physiques telle que la DLTS seront aussi effectuées sur ces structures. L’analyse permettra de prévoir des optimisations physiques et technologiques qui mèneront à une amélioration des performances des dispositifs à base de nitrure de gallium.
Notes
ok
Statut
Vérifié