Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
DILMI, Melouki
Directeur de thèse
Chellali Mohamed (Maitre de conférence)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Caractérisation et modélisation des transistors HEMTS à base de composés nitrurés
Mots clés
Héterostructure, HEMT, Composés nitrurés, MESFET
Résumé
Les Premiers transistors HEMT (High Electron Mobility Transistor) sont apparus en 1980. Le HEMT est généralement réservé à un composant à hétéro structure où le transistor s’effectue dans un matériau dopé. Il apparait comme une évolution du MESFET, pour contourner le problème de transport dans un matériau dopé, il est arrivé le HEMT dans le quel le transport électronique s’effectue au voisinage d’une interface entre un matériau à grande bande interdite fortement dopé et un matériau faiblement dopé. Notre étude sera consacrée au fonctionnement des transistors HEMT élaborés sur les composés III-V nitrurés, nous déterminons les paramètres électriques qui qualifient ces transistors, ce qui nous permettra par la suite de déduire les critères d’optimisation.
Notes
ok
Statut
Vérifié