Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
ZIANE, Mohamed Issam
Directeur de thèse
BENSAAD Zouaoui (Maitre de conférence)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Contribution à l’étude du ternaire InGaAs et du quaternaire InGaAsN : Applications aux puits quantiques à base de InGaAsN/GaAs dans les dispositifs optoélectroniques
Mots clés
ternaire InGaAs, quaternaire InGaAsN, structure InGaAsN/GaAs, puits quantiques, dispositifs optoélectroniques
Résumé
L’optoélectronique est présente dans de multiples domaines et prend une place de plus en plus importante surtout dans les systèmes de télécommunications par fibres optiques. Le développement rapide de l’optoélectronique n’aurait pas eu lieu sans une excellente connaissance des matériaux utilisés. L’étude des matériaux semi-conducteurs occupe donc une place particulière depuis quelques années et représente toujours l’étape essentielle dans la conception de n’importe quel dispositif optoélectronique. Le but du présent travail est de contribuer à l’étude des propriétés structurales, électroniques et optiques des matériaux GaAs, GaN, InAs et InN et de leurs alliages ternaire InGaAs et quaternaire InGaAsN pour une utilisation dans des structures à puits quantiques utilisés dans les diodes lasers et les photodétecteurs
Notes
ok
Statut
Vérifié