Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
ZOUGAGH, Nabil
Directeur de thèse
BENAMARA Zineb (Professeur)
Co-directeur
MAZARI halima (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Etude des Nano-structures Nitrures/substrat III/V à base d’arséniure de gallium : Caractérisation électrique et modélisation
Mots clés
dispositifs III/N, vourant-tension, capacité-tension, InP, GaAs.
Résumé
le travail de cette thèse de doctorat se rapporte sur l’étude des structures à base de nitrures tels que le GaN réalisé sur des substrats III-V en vue de réalisation de composants électroniques en particulier l’étude d’hétéro-structures nitrures/matériaux III-V appliqués dans les domaines de l’optoélectronique (lasers UV et bleus) et électronique (applications à haute température et à haute puissance). Une étude théorique basée sur la simulation numérique des équations de transport dans les semi-conducteurs sera mise en évidence pour mieux comprendre les phénomènes physiques et technologiques mis en jeu pour le fonctionnement de tels dispositifs nitrures/III-V. L’étude expérimentale envisage la nitruration des substrats de GaAs en vue de nitrurer de telle surface et l’obtention de film de nitrures avec différentes épaisseurs et différentes concentrations de dopants, ceci par différentes méthodes de nitruration. Des analyses de surface telles que la spectroscopie Auger, XPS, pic élastique,…etc, sont envisagées afin d’étudier et de déterminer les compositions des différentes surfaces. les mesures des caractéristiques I-V, C-V et G-V pour ce type d’hétéro-structures peuvent être réalisées à différentes températures et en fonction de la fréquence. Etant fait les résultats seront comparés avec ceux de la modélisation et optimiser les conditions technologiques pour améliorer les performances de ces dispositifs
Notes
ok
Statut
Vérifié