Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
BACHIR, Bouidjra Bachir
Directeur de thèse
BENAMARA Zineb (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Analyses surfaciques et caractérisations électriques en fonction de la température et de la fréquence des nano-composants GaAs/GaN et InP/InN
Mots clés
GaN, InN, analyses surfacique, électriquess, XPS, Auger
Résumé
Durant ces dernières années, le développement des composants III-V tels que l’arséniure de gallium (GaAs) ou de phosphure d’indium (InP) a été spectaculaire. Les nitrates d’éléments III, GaN, InN et AlN connaissent un essor considérable ces deux dernières décennies. L’intérêt croissant pour ces matériaux est dû aux applications potentielles de cette famille de semi-conducteurs à large bande interdite, qui permettent d’étendre dans la gamme du bleu à l’ultraviolet En effet, ces composés présentent des performances bien supérieures à celle des semi-conducteurs plus classiques comme le silicium. Ce sont des matériaux de choix pour toutes les applications micro-électroniques et optoélectronique. Or les caractéristiques de ces matériaux et des composants sont sensibles à l’état de surface et de l’interface. L’étude du fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une maitrise préalable des phénomènes physiques régissant les propriétés des électrons dans le semi-conducteur. Il est donc devenu essentiel de comprendre les mécanismes de formation des nanostructures pour maitriser au mieux la technologie des composants réalisés, à l’heure où les nanotechnologies ouvrent de nouvelles voies. En effet, dans le domaine de la microélectronique, ces matériaux présentent un caractère réfractaire qui permet d’envisager des applications dans des conditions hostiles, à haute température, haute puissance ou à haute fréquence. Pour le développement de ces nitrures d’éléments III, les substrats semi-conducteurs III-V tels que l’InP et le GaAs constituent des substrats potentiels pour la croissance de l’InN et du GaN. Cependant, les caractéristiques des hétérostructures ainsi obtenues sont étroitement liées à l’état de surface et d’interface. Après avoir contrôlé les premiers stades de croissance de l’InN sur InP et du GaN sur GaAs et analyser les surfaces nettoyées et nitrurées par des méthodes spectroscopiques du type XPS et Auger, nous nous proposons d’effectuer des mesures électriques du type courant-tension à l’obscurité et sous éclairement, et de capacité-tension en fonction de la fréquence et de la température, ceci dans l’objectif d’obtenir de plus amples informations sur les couches nitrurées et enfin d’optimiser le processus de nitruration et la réalisation de nano-composants électroniques.
Notes
ok
Statut
Vérifié