Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation Département d’Electronique Auteur LAGRAA, Ibrahim Directeur de

Business Listing - April 01, 2020

Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation Département d’Electronique Auteur LAGRAA, Ibrahim Directeur de

Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation Département d’Electronique Auteur LAGRAA, Ibrahim Directeur de thèse SOUDINI BelAbbes (Professeur) Filière Electronique Diplôme Magister Titre Contribution à l’étude et à l’optimisation des caractéristiques physiques d’une diode laser à base de BeZnO/ZnO Mots clés simulation, diode laser, BeZnO/ZnO, puit quantique. Résumé Les semi-conducteurs à large bande interdite ont attiré beaucoup d’attention en raison de leurs applications potentielles pour des dispositifs optroniques dans le bleu et les régions (UV). Récemment, ZnO et ses alliages ont été proposés comme les nouveaux matériaux à gap élevé utilisés dans les dispositifs optoélectroniques pour les longueurs d’ondes courtes. De plus, les structures à puits quantiques à base de ZnO possèdent plusieurs avantages comparées à celles basées sur le GaN. Actuellement, les émetteurs optoélectronique attirent beaucoup d’attention dans le domaine de la communication optique, médical,etc. Plus particulièrement les diodes laser se sont distinguées par rapport aux diodes LED grâce à leurs meilleurs avantages. Ainsi, dans le cadre de ce sujet de mémoire de magister, on cherche à apporter une contribution à l’étude et l’optimisation d’une diode laser à base d’une structure à puits quantique du type BeZnO/ZnO. Ce travail consiste à faire une simulation en utilisant comme recommandation le logiciel PICS3D (Photonic Integrated Circuit Simulator in 3D) considéré comme état de l’art des simulateurs 3D des diodes laser et d’autres dispositifs photoniques actifs, afin d’aboutir à une optimisation des différents paramètres caractérisant ce composant. Une attention particulière sera portée sur les propriétés optiques afin accéder aux caractéristiques tels que le gain optique, courant de seuil ainsi que leur dépendance des différents paramètres intrinsèques des ces structures à puits quantiques. Les résultats obtenus seront comparés à d’autres travaux. Statut Validé

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