Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
BOUZIDI, Amina
Directeur de thèse
LACHEBI AbdelHadi (Maitre de conférence)
Co-directeur
ABID hamza (Professeur)
Filière
Génie Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Étude et optimisation des diodes à base de la structure à puits quantiques BAlN/AlN
Mots clés
Alliages semiconducteurs, quaternaires, pseudopotentiel, méthode graphique, gap, paramètre intrinsèque et extrinsèque, indice de réfraction, température, puits quantique, gain, densité de courant de seuil.
Résumé
Ce travail consiste à l’étude des propriétés électroniques et optiques des alliages à base de nitrure et de bore le BAlN et AlN. L’objectif visé de ce travail est d’apporter une contribution dans le domaine de l’étude des structures électroniques des matériaux à base de nitrure et de bore qui sont importants lors de la conception des dispositifs d’optoélectroniques. Cette contribution traite dans la première étape le calcul des structures de bandes électroniques de l’alliage ternaire BAlN et binaire AlN en question dans le but d’étudier le paramètre de courbure qui a un effet direct sur les propriétés optiques du matériau. La méthode de calcul utilisée est celle du pseudo-potentiel empirique. La deuxième étape consiste à faire l’optimisation de la structure proposée (BAlN/AlN) en utilisant la méthode graphique avec le logiciel Mathcad. Les paramètres physiques de la diode à optimiser sont: les paramètres intrinsèques et extrinsèques influant sur la structure (gap, paramètre de courbure, indice de réfraction, gain, densité de courant de seuil, température…). Cette étude donne une meilleure compréhension sur les propriétés électroniques et optiques des matériaux étudiés ainsi que le dispositif proposé. Cette étude sera confrontée avec d’autres travaux expérimentaux et théoriques.
Statut
Validé