Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
DOUARA, Abdelmalek
Directeur de thèse
DJELLOULI Bouazza (Maitre de conférence)
Filière
Electronique : Semi Conducteur
Diplôme
Magister
Titre
Étude par simulation d’un transistor HEMT à base de ALGaN/GaN
Mots clés
transistor HEMT ,ALGaN/GaN ,logiciel Nextnano ,vitesses de commutation .
Résumé
L’électronique de puissance comme moyen de contrôle de l’énergie prend une place très importante dans les technologies modernes. Les transistors HEMT ALGaN/GaN sont largement utilisés dans les applications à forte puissance avec des grandes vitesses de commutation générant de faibles pertes. La recherche de modèles du transistor HEMT engendrent des simulations en accord avec l’expérience est devenu un défi pour la recherche actuelle.
Statut
Validé
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