Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
TOUHAMI, Lakhdar
Directeur de thèse
Dr. DJELLOULI Bouazza (Docteur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
Modélisation et simulation d’un capteur chimique à base de transistor ISFET
Mots clés
capteur chimique
Résumé
Problématique L’utilisation des techniques de la microélectronique dans le domaine des analyses médicales, de l’environnement, de l’alimentation et de la pharmacie a fait apparaitre des capteurs chimiques à base de transistors ISFET qui sont des transistors a effet de champs sensibles aux ions. Le développement de nouveaux capteurs fiables nécessite l’étude des paramètres phisiques déterminant la sensibilité de transistor ISFET aux défferents milieux chimiques dans lesquelles ils sont introduits. Méthodologie Nous étudieront dans ce travail par simulation de régime de fonctionnement de l’ISFET et sont influence sur la sensibilité ionique de transistor. Nous étudierons son fonctionnement en contact avec plusieurs types d’électrolytes et nous déterminerons différents paramètres telles la variation du potentiel électrostatique en fonction du PH de l’électrolyte. L’ensemble de travail de simulation sera développe dans le cadre du logiciel de simulation Nextnano.
Statut
Validé