Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
HASNI, Malika
Directeur de thèse
MANSOURI SEDIK (Maitre de conférence)
Filière
Microélectronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Conception et caractérisation des diodes Shottky à base de GaN en fonction de l’irradiation aux ions lourds de plomb .
Mots clés
Nitrure de Gallium (GaN),irradiation,ions lourds, diodes Schottky.
Résumé
Le nitrure de gallium est le semi-conducteur le plus en vogue de nos jours, il est utilisé dans la conception de nombreux dispositifs microélectronique et optoélectronique. Du fait de sa large bande interdite directe, il est le plus indiqué dans l’élaboration de lasers émetteurs de lumière bleue (diodes laser, diodes électroluminescente…), les dispositifs de stockage de l’information et les accumulateurs à grande autonomie avec des dimensions réduits . Ce semi-conducteur est très prometteur et de nombreuses applications pourront être développées dans le futur. Les travaux de thèse de Mlle Hasni Malika, se porteront sur la réalisation des diodes Schottky sur du Nitrure de Gallium (GaN), ainsi que l’étude de l’évolution des caractéristiques électriques I(V) et C(V), en fonction de l’irradiation aux ions lourds de plomb. Pour cela, nous comptons irradier ces diodes Schottky en utilisant des ions de plomb à des doses différentes. La connaissance de l’évolution des propriétés électriques de ces diodes Schottky comparées à celle non irradiées, nous renseignera sur leur tenue électrique et définira le domaine d’utilisation et peut être de nouvelles applications.
Statut
Validé