Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation Département d’Electronique Auteur ZERROUKHI, Houari Directeur

Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes Affiliation Département d’Electronique Auteur ZERROUKHI, Houari Directeur de thèse ABID Hamza (Professeur) Filière Electronique : Semi Conducteur Diplôme Doctorat Titre « Etude comparative entre les structures GaNAs/GaAs, GaInNAs/GaAs, GaNAsSb/GaAs et le GaInNAsSb/GaAs Application aux dispositifs optoélectroniques» Mots clés Alliages semi-conducteurs, quaternaire, quinaire, méthode ab-initio, empirique, Pseudopotentiel, FP-LAPW, FP-LMTO, substrat, lasers, photodétecteurs, méthode graphique, optimisation, gain optique, densité de courant de seuil. Résumé L’objectif de ce travail est de faire une étude comparative entre les structures GaNAs/GaAs, GaInNAs/GaAs, GaNAsSb/GaAs et le GaInNAsSb/GaAs. Ce travail consiste à l’étude des propriétés électroniques et optiques des alliages GaNAs, le GaInNAs, le GaNAsSb, et le GaInNAsSb en premier lieu puis épitaxiés sur GaAs en utilisant des méthodes ab-initio et empiriques (Pseudopotentiels) afin de concevoir un dispositif optoélectronique et ceci à travers l’optimisation de leurs paramètres physiques. L’optimisation concerne les paramètres intrinsèques (nombres et largeurs des puits, barrière de potentiel, indice de réfraction, largeur de la cavité le dopage et le facteur de confinement) des extrinsèques (la température, l’accord de maille…) de ces dispositifs. La méthode de calcul utilisée est le couplage entre celle de l’optimisation et des modèles de calculs de ces paramètres. Cette étude comparative sera confrontée aux différentes recherches théoriques et expérimentales dans le domaine d’optimisation et la conception des dispositifs optoélectroniques. Statut Validé