Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
ZERROUKHI, Houari
Directeur de thèse
ABID Hamza (Professeur)
Filière
Electronique : Semi Conducteur
Diplôme
Doctorat
Titre
« Etude comparative entre les structures GaNAs/GaAs, GaInNAs/GaAs, GaNAsSb/GaAs et le GaInNAsSb/GaAs Application aux dispositifs optoélectroniques»
Mots clés
Alliages semi-conducteurs, quaternaire, quinaire, méthode ab-initio, empirique, Pseudopotentiel, FP-LAPW, FP-LMTO, substrat, lasers, photodétecteurs, méthode graphique, optimisation, gain optique, densité de courant de seuil.
Résumé
L’objectif de ce travail est de faire une étude comparative entre les structures GaNAs/GaAs, GaInNAs/GaAs, GaNAsSb/GaAs et le GaInNAsSb/GaAs. Ce travail consiste à l’étude des propriétés électroniques et optiques des alliages GaNAs, le GaInNAs, le GaNAsSb, et le GaInNAsSb en premier lieu puis épitaxiés sur GaAs en utilisant des méthodes ab-initio et empiriques (Pseudopotentiels) afin de concevoir un dispositif optoélectronique et ceci à travers l’optimisation de leurs paramètres physiques. L’optimisation concerne les paramètres intrinsèques (nombres et largeurs des puits, barrière de potentiel, indice de réfraction, largeur de la cavité le dopage et le facteur de confinement) des extrinsèques (la température, l’accord de maille…) de ces dispositifs. La méthode de calcul utilisée est le couplage entre celle de l’optimisation et des modèles de calculs de ces paramètres. Cette étude comparative sera confrontée aux différentes recherches théoriques et expérimentales dans le domaine d’optimisation et la conception des dispositifs optoélectroniques.
Statut
Validé