Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
Hocini, Abderraouf
Directeur de thèse
Benamara Zineb (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Caractérisation et modélisation des nanostructures électroniques élaborées à partir des matériaux III-V et III-N
Mots clés
GaAs, GaN, Courant, Capacité, Conductance,
Résumé
En raison de leurs applications prometteuses dans les domaines de l’électronique et de hautes fréquences, les semiconducteurs composés III-V à base d’azote (GaN), font l’objet d’une activité croissante en recherche et développement. L’intérêt principal des nitrures réside dans la grande plage de bande interdite directe, et dans leurs propriétés électroniques de vitesse de saturation et de champ de claquage élevés. Ces propriétés font des nitrures les meilleurs candidats pour toutes les applications d’électronique de puissance et hyperfréquence. Dans cette thèse de doctorat, nous nous proposons de réaliser des nanocomposants par la croissance de nitrure GaN sur substrats de GaAs. Cette opération de nitruration est suivie par le dépôt de grille métallique de type Au. Après un suivi surfacique et des analyses spectroscopiques, ces nanostructures ainsi élaborées seront caractérisées électriquement, ceci en relevant des caractéristiques de résistivité, de courant-tension en fonction de la température, de capacité-tension et de conductance en fonction de la fréquence en balayant la gamme de quelques Hertz à plusieurs Mégahertz. Nous nous intéresserons à l’étude du gaz électronique à deux dimensions à l’interface GaH/GaAS. Ainsi, les objectifs visés par cette thèse nécissitent ainsi une optimisation du processus de fabrication des dispositifs semiconducteurs à base des composés III-V nitrurés.
Statut
Validé