Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
KACHA, Arslane Hatem
Directeur de thèse
AKKAL Boudali (Professeur)
Co-directeur
BENAMARA Zineb (Professeur)
Filière
Electronique : Semi Conducteur
Diplôme
Doctorat
Titre
caractérisation électrique et photoélectrique des hétéro-structures à base des composes III-V nitrures
Mots clés
Tension photoélectrique, Semi-conducteurs III-V, Nitruration
Résumé
Les semi-conducteurs contenant l’élément N offrent des possibilités intéressantes pour les dispositifs microélectroniques et optoélectroniques. L’intérêt de la nitruration des semiconducteurs III-V, en particulier le nitrure de gallium (GaN) et ses alliages réside dans leurs nombreuses applications, dans le: - Domaine de l’optoélectronique : Fabrication de diodes bleues et blanches - Domaine de Microélectronique : Fabrication des diodes, photodiodes, hétérostructures et des transistors opérant en environnements hostiles, à hautes températures, à hautes fréquences et à fortes puissances La réalisation des ces couches de matériaux III-V s’effectue sur des substrats de GaAs. En effet, le Ga As constitue un substrat potentiel pour la croissance du Ga N. Cependant, les caractéristiques de l’hétérostructure obtenue, sont profondément liées à l’état de surface et t’interface. Dans cette étude, nous nous proposons de caractériser électroniquement et photoélectriquement ce type de dispositifs. Nous utiliserons pour cela des mesures I-V, C-V, G-V, de DLTS à l’obscurité et sous éclairement. Nous nous intéressons en particulier à la mesure de la tension électrique de surface. Cette méthode est basée dur la mesure de la variation du potentiel de surface sous illumination. ceci, pour la détermination de la densité d’état d’interface ainsi que la caractérisation des fluctuations du potentiel de surface. Ainsi, nous mettrons en place un banc de mesure correspondant à la mesure de ce paramètre.
Statut
Validé