Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
BELAHCENE, Abdelkader
Directeur de thèse
DJELLOULI Bouaza (Maitre de conférence)
Co-directeur
ABID Hamza (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Étude par simulation de l’amélioration des performances des nanomosfets à triple grille.
Mots clés
MOSFET, multi-grilles, épaisseurs d’oxyde, phénomènes quantiques, triple grille, courant-tension, paramètres géométriques, miniaturisation.
Résumé
La feuille de route (road-map de l’ITRS) prévoit une inévitable saturation des performances du MOSFET classique et incite à la recherche de composants innovants présentant de nouvelles fonctionnalités. Les avancés technologiques de la microélectronique entraînent l’émergence de nouvelles architectures de type MOSFET multi-grilles et la réduction continue des dimensions (notamment des épaisseurs d’oxyde de grille et de canal) permettent d’envisager l’apparition de phénomènes quantiques dans des structures directement issues des technologies classiques. Le but de ce travail est de déduire un modèle qui permettra de reproduire le fonctionnement d’un transistor mosfet à triple grille. La simulation du modèle obtenu permettra de déduire les caractéristiques courant-tension de ce transistor et ses performances en fonction de ses paramètres géométriques. On essaiera de prévoir les limites de ce transistor du point de vue de la miniaturisation de ces dimensions suivant la feuille de route de l’ITRS.
Statut
Validé