Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
BOUHEZILA, Laouni
Directeur de thèse
DJELLOULI Bouaza (Maitre de conférence)
Co-directeur
ABID Hamza (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Simulation numérique de transistor à un électron
Mots clés
SET ; nanocristal ; effet tunnel
Résumé
Dans ce travail on présente une méthode de simulation de transistor à un électron (Single Electron Transistor : SET). Ces composants sont constitués d’un nanocristal séparés des électrodes de source et de drain par des barrières tunnel. La structure étudiée est composée de deux jonctions tunnel et une jonction simple. L’effet tunnel à un électron est décrit comme une charge discrète due à la nature stochastique du phénomène tunnel. On essaiera de développer un modèle compacte tenant compte de la variation des résistances tunnel en fonction de la polarisation ainsi que du courant thermoionique. On présentera les caractéristiques courant drain-source en fonction de la tension de drain et de la tension de grille. La simulation reproduira les résultats obtenus par d’autres études du SET tant expérimentales que théoriques.
Statut
Validé