Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
TOUMI, Khalid
Directeur de thèse
Y.Bourezig (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Modélisation analytique de l’effet de l’éclairement sur la mobilité d’effet de champ des TFTs au silicium polycristallin
Mots clés
TFT – silicium poly-cristallin- mobilité d’effet de champ- modélisation
Résumé
Les transistors réalises en couches minces, et qui sont souvent désignés par leur acronyme anglais TFT (Thin Film Transistor) sont employés principalement pour la réalisation des matrices actives des écrans plats à cristaux liquides. Ils constituent l’élément de base d’une partie spécifique de l’électronique que l’on appelle Electronique Grande Surface. Dans ce contexte, il est question de procéder à une caractérisation électrique des TFTs au poly-silicium et à technologie auto-alignée. De déterminer la mobilité d’effet de champ à l’obscurité et sous éclairement, puis de définir un modèle adéquat pour ce paramètre, prenant en compte le flux d’éclairement, la densité de charges piégées, la polarisation de la grille… Une validation du modèle mis en place est effectuée en comparant les valeurs issues du modèle avec celles obtenues expérimentalement.
Statut
Validé
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