Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
SLIMANI, Hakim
Directeur de thèse
Abid Hamza (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Etude et optimisation d’une diode laser à base des alliages semiconducteurs quaternaires à puits quantiques
Mots clés
Mots clés : propriétés électroniques, gap d’énergie, structure de bandes, densité d’état, propriétés optique, fonction diélectrique, indice de réfraction, optimisation, méthode graphique, densité de courant de seuil, gain optique.
Résumé
Un alliage est un mélange de deux ou plusieurs éléments chimiques. A l’état solide, si des atomes d’un métal B remplacent des atomes d’un métal A, il se forme une solution solide: c’est un alliage de substitution. Dans le cas des semiconcteurs, on trouve les alliages binaires, ternaires, quaternaires et les pentanaires. Dans les structures à deux sous réseaux identiques comme la structure de la blende, la formation d’une solution solide quaternaire s’accompagne de la répartition des quatre types d’atomes sur les deux sous réseaux. Les alliages quaternaires semiconducteurs présentent l’avantage de permettre indépendant du paramètre de réseau (qui suit en général la loi de végard) et de la valeur de l’énergie de la bande interdite. Par exemple les alliages quaternaires quadratiques(GaInAsP, GaInAsN) et triangulaires et AlGaInP sont potentiellement intéressants pour les dispositifs optoélectroniques. L’objectif de ce travail est l’étude et l’optimisation des propriétés physiques de la diode laser proposé en utilisant des alliages quaternaires. Les résultats de calcul seront comparés à l’expérience et à d’autres calculs. Cette étude comporte les points suivants: - Recherche bibliographique sur les matériaux semiconducteurs - Recherche bibliographique sur les méthodes de calcul des propriétés structurales, électroniques et optiques des alliages semiconducteurs - Choix du matériau et de la méthode de calcul. - Etude des propriétés structurales, électroniques et optiques des alliages semiconducteurs proposés. • paramètre du réseau • module de compressibilité • la dérivée première du module de compressibilité • structure de bandes • densité d’états • densité de charge • fonction diélectrique • Indice de réfraction - Optimisation des paramètres intrinsèques et extrinsèques des paramètres physiques de la diode laser proposé. - Les résultats de calcul seront comparés à l’expérience et à d’autres calculs.
Statut
Validé