Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
LAGRAA, Ibrahim
Directeur de thèse
SOUDINI Bel-Abbès (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Etude et simulation de l’effet photoréfractif dans les semi-conducteurs III-V et leurs alliages
Mots clés
photoréfractif,l’effet électro-optique,simulation,semi-conducteurs III-V ,
Résumé
L’effet photoréfractif repose donc sur l’existence simultanée de ces deux mécanismes physiques. La photoconductivité va permettre de créer un réseau de champ électrique de charge d’espace à l’intérieur d’un matériau illuminé de manière non uniforme. De son coté l’effet électrooptique Pockels transforme ce champ de charge d’espace en variation d’indice. On rencontre l’effet photoréfractif dans différentes classes de matériaux tels que les dans les cristaux ferroélectriques (LiNbO3, BaTiO3), les sillénites (Bi12SiO20) ou les semiconducteurs (GaAs, InP:Fe, CdTe:V). Tous ces matériaux, isolants ou semi-isolants dans le noir, sont à la fois photoconducteurs et électro-optiques. Un effet électro-optique correspond à une modification de la propagation d’une onde électromagnétique dans un matériau. Cette modification est due à la présence d’un champ électrique quasi-statique. Ce terme couvre un certain nombre de phénomènes distincts consistant en des modifications de l’indice de réfraction ou de l’absorption dans un milieu. L’objectif de ce travail est de faire une contribution à l’étude de ce phénomène dans les semi-conducteurs III-V et leurs alliages ( GaAS ou InP). Ainsi, on essaye donc de simuler la photoconductivité et l’effet électro-optique dans ces matériaux. On s’intéresse aussi à l’influence de plusieurs paramètres sur cet effet tels la température le dopage. Les résultats obtenus seront comparés à d’autres travaux.
Statut
Validé