Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
ALI, Mokhtar
Directeur de thèse
DJELLOULI Bouaza (Professeur)
Co-directeur
ABID Hamza (Professeur)
Filière
Electronique : Semi Conducteur
Diplôme
Doctorat
Titre
Etude de l’influence des diélectriques high-k sur la performance des transistors mosfet nanométriques
Mots clés
transistors mosfet nanométriques,CMOS,diélectriques high-k;diélectriques SiO2,la méthode kp.
Résumé
La miniaturisation des transistors CMOS permet d’améliorer leurs performances, la densité d’intégration et le cout des circuits électroniques. Cette miniaturisation de plus en plus poussée fait apparaître des effets parasites associés à la réduction de la longueur de grille et de l’épaisseur d’oxyde qui perturbent fortement le fonctionnement de ces transistors. Pour relever ce défi il est envisagé d’introduire de nouveaux matériaux tels que les diélectriques à haute permittivité comme isolant de grille pour améliorer le compromis entre l’épaisseur d’oxyde et le courant de fuite de grille. Dans le cadre de ce sujet on propose d’utiliser des diélectriques à haute permittivité comme isolant de grille. Nous étudierons les propriétés de transport des transistors mosfet utilisant ces diélectriques par une simulation basée sur le modèle macroscopique de dérive-diffusion ainsi que sur le modèle quantique de l’effet tunnel. Nous comparerons les caractéristiques des mosfet basés sur les grilles high-k avec celles basés sur le SiO2 et nous étudierons l’effet du courant tunnel sur leurs performances.
Statut
Validé