Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
DOUARA, Abdelmalek
Directeur de thèse
DJELLOULI Bouaza (Professeur)
Co-directeur
ABID Hamza (Professeur)
Filière
Electronique : Semi Conducteur
Diplôme
Doctorat
Titre
Etude par simulation de l’optimisation des HEMT à base de GaN pour les applications en haute fréquences
Mots clés
des transistors HEMT- AlGaN/GaN
Résumé
Les avancées récentes dans la compréhension du fonctionnement des transistors HEMT à base de GaN et la maitrise de leur technologie de fabrication ont conduit à une utilisation de plus en plus poussée de ces dispositifs dans les communications à haute fréquences et dans les systèmes de commutation à tension élevée. La recherche actuelle s’oriente vers la conception de dispositifs pouvant fonctionner à des fréquences supérieures à 30 GHz et des tensions allant jusqu’à 100 V. Toutefois des problèmes liés à la fiabilité de ces dispositifs et le manque de compréhension des phénomènes physiques régissant leur fonctionnement entravent le développement commercial de ces dispositifs. Il s’avère alors nécessaire d’arriver à une compréhension du fonctionnement de ces transistors en développant un modèle de simulation proche de la réalité qui peut être utilisé pour optimiser la conception de ces dispositifs afin de répondre aux exigences de fonctionnement à de hautes fréquences et à des puissances élevées . Le sujet de cette de thèse concerne la conception et le développement d’un modèle de simulation physique du transistor à haute mobilité électronique ( HEMT) de type AlGaN / GaN. Le modèle utilisé sera confronté aux données expérimentales. On essaiera de déceler les procédés permettant de faire fonctionner le dispositif à de hautes fréquences et à des puissances élevées.
Statut
Validé