Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
TAALBI, Ahmed
Directeur de thèse
ABID Hamza (Professeur)
Filière
Electronique : Semi Conducteur
Diplôme
Doctorat
Titre
Etude des propriétés électroniques et optiques des alliages quaternaires AxByC 1-x-y D Application aux alliages AlxGayIn 1-x-y D (x=P, As, N)
Mots clés
propriétés électroniques, gap d’énergie, structure de bandes, densité d’état, propriétés optique, fonction diélectrique, indice de réfraction.
Résumé
Un alliage est un mélange de deux ou plusieurs éléments chimique. A l’état solide, si des atomes d’un métal B remplacent des atomes d’un métal A, il se forme une solution solide: c’est un alliage de substitution. Dans le cas des semiconcteurs, on trouve les alliages binaires, ternaires, quaternaires et les pentanaires. Dans les structures à deux sous réseaux identiques comme la structure zincblende, la formation d’une solution solide quaternaire s’accompagne de la répartition des quatres types d’atomes sur les deux sous réseaux. Les alliages quaternaires semiconducteurs présentent l’avantage de permettre indépendant du paramètre de réseau (qui suit en général la loi de végard) et de la valeur du gap d’énergie. Par exemple les alliages quaternaires quadratiques et triangulaires respectivement GaInAsP et AlGaInP sont potentiellement intéressants pour les dispositifs optoélectroniques. L’objectif de ce travail est la détermination des propriétés structurales, électroniques et optiques des alliages semiconducteurs Al x Ga y In 1-x-y X ( X=P, As, N) en utilisant des méthodes empiriques et ab-initio. Les résultats de calcul seront comparés à l’expérience et à d’autres calculs.
Statut
Validé