Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sidi Bel Abbès - Djillali Liabes
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
BELROUL, Rafika
Directeur de thèse
Benamara Zineb (Professeur)
Filière
Microélectronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Etude les nanocomposants à base des matériaux III-V , caractérisations électriques et modélisations des phénomènes de transport associées.
Mots clés
InP GaAs InN GaN mesure électrique, modélisation 1D et 2D.
Résumé
Le nitrure de gallium et le phosphure d’Indium sont des candidats idéaux pour la fabrication de dispositifs de hautes fréquences, des émetteurs bleus et des détecteurs fonctionnant dans le domaine spectral UV. La préparation des surfaces bien nettoyées, arrangées et passivées est d’importance primordiale pour la croissance du GaN et lde l’InN et l’élaboration des composants à base de ces matériaux. L’intérêt croissant pour ces matériaux est dû aux applications potentielles de cette famille de semi-conducteurs à large bande interdite. Ce sont des matériaux de choix pour toutes les applications nanotechnologiques. Or les caractéristiques de ces matériaux et des composants sont sensibles à l’état de surface et de l’interface .L’étude du fonctionnement des différents types de composants électroniques passe par une maîtrise préalable des phénomènes de transport régissant le fonctionnement de ces composants à l’échelle nanométrique. En effet, dans le domaine de l’électronique, ces matériaux présentent un caractère réfractaire qui permet d’envisager des applications dans des conditions hostiles, à haute température, haute puissance ou à haute fréquence. Pour le développement de ces nitrures d’éléments III, les substrats semi-conducteurs III-V tels que l’InP et le GaAs constituent des substrats potentiels pour la croissance de l’InN et du GaN.. La nitruration est effectuée par une source GDSC. Ce sont des couches de nitrures de l’odore de quelques monochouches et peuvent servir de précurseur pour des couches plus épaisses. Cependant, les caractéristiques des hétérostructures ainsi obtenues sont étroitement liées à l’état de surface et d’interface. Dans cette thèse de doctorat, nous nous proposons d’élaborer ce type de nanostructures de les caractériser électriquement par des méthodes du type Courant-Tension I-V et capacité-Tension C-V relevées à différentes températures et fréquences. Ce travail serait compléter par une modélisation des phénomènes de transport à 1D et 2D.
Statut
Validé