Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
BELGAT, Mustapha
Directeur de thèse
KENZAI CHERIFA (Docteur)
Filière
Electronique
Diplôme
Magister
Titre
SIMULATION ET OPTIMISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A L’ARSENIURE DE GALLIUM
Mots clés
SIMULATION - MESFET- GaAs
Résumé
Le travail proposé vise à faire une étude analytique des propriétés statiques et dynamiquesdu transistor à effet de champ à l’arseniure de gallium à grille Schottky dit MESFET GaAs. Ensuite une simulation numérique sera effectuée pour déterminer les performances des composants. L’influence des différents paramètres physiques et géométriques sera Analysée dans le but d’optimiser les composants
Statut
Vérifié
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