Mémoires de Fin d’Etudes
Etablissement
Université de Sétif 1 - Ferhat Abbas
Affiliation
Département d’Electronique
Auteur
TAMOUM, Mohammed
Directeur de thèse
DJAHLI Farid (Professeur)
Co-directeur
BOUZIT Nacerdine (Professeur)
Filière
Electronique
Diplôme
Doctorat
Titre
Caractérisation Fine et Modélisation Non-Linéaire des Transistors MOSFET
Mots clés
MOSFET, LDMOS, boîtier, RF, modélisation grand-signal, caractérisation micro-ondes, non-linéaire, amplificateur de puissance
Résumé
Dans ce travail, nous avons développé un modèle non-linéaire pour les transistors MOS en boîtier utiles pour des applications en hyperfréquences. Le modèle développé reproduit, de manière très précise, les caractéristiques hyperfréquences des transistors MOS, tant en régime petit-signal qu’en régime grand-signal. Il prend en compte l’effet du boîtier, présent dans les composants discrets. Le modèle a été validé à travers des mesures grand-signal à l’aide d’un analyseur de réseaux vectoriel. L’extraction des paramètres du modèle est très rapide et son implémentation dans un simulateur de circuits commercial est très simple. A l’aide de ce modèle, un amplificateur de puissance a été conçu et réalisé en technologie LDMOS
Date de soutenance
2013
Cote
th965
Pagination
174P
Format
CD
Statut
Soutenue